ايجاد ريزساختار هدفمند در آلياژ هيپويوتکتيک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش گريز از مرکز

ايجاد ريزساختار هدفمند در آلياژ هيپويوتکتيک Al-11 wt.% Mg2Si با استفاده از روش ريخته گري گريز از مرکز

امرايي حجت اله,صمدي احد*,وجد اكبر

* دانشگاه صنعتي سهند



يکي از روش هاي ايجاد ناهمگني هدفمند در ريزساختار مواد، روش ريخته گري گريز از مرکز است که در آن نيروي گريز از مرکز منجر به توزيع درجه بندي شده اي از فازهاي ريزساختاري در حين ريخته گري و انجماد مي شود. بر اين اساس، در اين پژوهش با آماده سازي مذاب هيپويوتکتيک با ترکيب Al-11 wt.% Mg2Si و ريخته گري گريز از مرکز آن، استوانه هايي با شيب ترکيبي و فازي، در راستاي شعاعي ريخته گري شدند. با بررسي ريزساختار استوانه هاي ريختگي در جهت شعاعي، دو لايه متمايز ريزساختاري به ترتيب با کسر حجمي بالاي دانه هاي a-Alدر سطوح خارجي و درصد بالاي ريزساختار يوتکتيکي Al/Mg2Siدر سطوح داخلي قابل تشخيص بودند. در مرحله بعد، نمونه هاي ريخته شده در دماي 530oC به مدت 10 ساعت محلول سازي شده و پس از تبريد در آب، به مدت 8 ساعت در 175oC پيرسازي شدند. بررسي ريزساختار نمونه ها نشان مي دهد که عمليات حرارتي باعث تبديل ذرات Mg2Si لايه اي موجود در ساختار يوتکتيکي سطوح داخلي به ساختار ريز شبه يوتکتيکي نقطه اي مي شود. ساز و كار تشکيل چنين ساختار مرکب يوتکتيکي موضوعي است که در مقاله به آن پرداخته مي شود.

كليد واژه: مواد هدفمند، آلياژ هيپويوتکتيک Al-11 wt.% Mg2Si، ريخته گري گريز از مرکز، ريزساختار درجه بندي شده

[برای مشاهده لینکها ابتدا در سایت عضو شده و وارد نام کاربری خود شوید. برای عضویت اینجا کلیک کنید...]